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紫外光刻機(jī)強(qiáng)力助攻微納器件制備

更新時(shí)間:2022-06-08      點(diǎn)擊次數(shù):1220
  紫外光刻機(jī)新一代紫外光源:172nm,具有同類產(chǎn)品良好的輸出強(qiáng)度,3%的可用孔徑,弧光燈使用壽命更長(zhǎng)。暴露高達(dá)30000次,瞬間啟動(dòng),無(wú)需超凈室,內(nèi)置凈化系統(tǒng)可使系統(tǒng)在大氣環(huán)境中工作,無(wú)需主動(dòng)冷卻和外部冷卻,無(wú)有毒氣體和汞等物質(zhì)。高光能轉(zhuǎn)換率(EVU僅為0.02%),節(jié)能;傳統(tǒng)的UV處理會(huì)存在以上問題。光刻操作可以在幾分鐘內(nèi)完成,維護(hù)簡(jiǎn)單,幾乎不需要培訓(xùn)。
  

紫外光刻機(jī)

 

  1、微米級(jí)高分辨率投影光刻。
  
  2、實(shí)現(xiàn)無(wú)遮罩任意圖案書寫,所見即所得,即時(shí)。
  
  3、200mm行程拼接,100nm拼接精度。
  
  4、視覺引導(dǎo)光斑,支持雕刻。
  
  5、全自動(dòng)操作,圖形縮放、旋轉(zhuǎn)、定位、掃描、拼接均由軟件完成。
  
  紫外光刻機(jī)紫外投影光刻技術(shù)將特定形狀的光斑投射到涂在器件表面的光刻膠上。光刻膠的照射區(qū)域會(huì)產(chǎn)生化學(xué)變化。曝光顯影后,可形成微米級(jí)精密圖案;通過進(jìn)一步的蝕刻或蒸發(fā),可以在樣品表面形成所需的結(jié)構(gòu)。UV投影光刻作為材料、器件、微結(jié)構(gòu)和微器件的常用制備技術(shù),廣泛應(yīng)用于微納米結(jié)構(gòu)制備、半導(dǎo)體器件電極制備、太赫茲/毫米波器件制備、光學(xué)掩模制備、PCB制造等應(yīng)用。
  
  傳統(tǒng)的UV投影光刻機(jī)需要先制作掩模版,耗材成本高,制備周期長(zhǎng),難以滿足材料和器件實(shí)驗(yàn)室對(duì)靈活性和實(shí)驗(yàn)進(jìn)度的要求。近年來開發(fā)的紫外光刻機(jī)技術(shù)突破了這一技術(shù)限制,實(shí)現(xiàn)了任意形狀編程和全自動(dòng)高精度大面積拼接的無(wú)掩模光刻,隨時(shí)將您的設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)化為實(shí)際的成品,大大減少了開發(fā)和測(cè)試周期,強(qiáng)有力的助攻微納器件制備的“臨門一腳”。
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